FCP11N60F, MOSFETs 600V NCH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833305
- Артикул
- FCP11N60F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- N-Channel MOSFET
- Вес, г
- 5
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FCP11N60F
Цена по запросу
(от 392,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Н-Ч 600В 11А 125Вт 0,38Р ТО219
Технические параметры
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FCP11N60F |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 56 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 98 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET FRFET |
| Крутизна характеристики, S | 9.7 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 119 ns |
| Типичное время задержки при включении | 34 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.7 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |