FCP11N60, MOSFETs 600V 11A N-CH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032627286
- Артикул
- FCP11N60
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220AB
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 11А, 125Вт, TO220, SuperFET® Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FCP11N60 |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 56 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 98 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 52nC |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single |
| Drain current | 11A |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Power dissipation | 125W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.38Ω |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 650V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 34 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 119 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 9.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.4 V, +7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |