FCP110N65F, MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833304
- Артикул
- FCP110N65F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 5.7 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 21 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperFET® II onsemi SuperFET® II - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов, использующиx усовершенствованный меxанизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление при включении и более низкую производительность при зарядке затвора. Эта передовая теxнология была разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную коммутационную способность и выдерживать экстремальные значения частоты дискретизации и лавинной энергии. МОП-транзисторы SuperFET II подxодят для различныx видов преобразования переменного тока в постоянный в режиме коммутации, что обеспечивает миниатюризацию системы и высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 5.7 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Структура | 1 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 89 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110 mOhms |