FCP067N65S3,Power MOSFET, SuperFET III, N Channel, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8668795646
- Артикул
- FCP067N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SuperFET® III - это совершенно новое семейство МОП-транзисторов ON Semiconductor с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 312 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 67 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.059 Ом |