N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 4-Pin PQFN4 FCMT360N65S3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014523357
- Артикул
- FCMT360N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 8mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Серия
- SuperFET3
Цена по запросу
(от 467 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III - это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП-транзисторов super-junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 8mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SuperFET3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN4 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PQFN-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Крутизна характеристики, S | 6 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |