Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 4-Pin Power88 FCMT250N65S3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014506536
Артикул
FCMT250N65S3
Бренд
ON Semiconductor***
Width
8mm
Pin Count
4
Вес, г
1
Серия:
superfet3
Цена по запросу
(от 553 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.

Технические параметры

Width8mm
Pin Count4
Вес, г1
Серия:superfet3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePower88
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Технология:si
Вид монтажа:smd/smt
Время спада:7.2 ns
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Тип продукта:mosfet
Maximum Power Dissipation90 W
Typical Gate Charge @ Vgs24 nC @ 10 V
Конфигурация:single
Подкатегория:mosfets
Maximum Gate Source Voltage±30 V
Number of Elements per Chip1
Производитель:onsemi
Maximum Drain Source Voltage650 V
Торговая марка:onsemi
Упаковка / блок:power-88-4
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Канальный режим:enhancement
Maximum Drain Source Resistance250 mΩ
Qg - заряд затвора:24 nc
Maximum Continuous Drain Current12 A
Время нарастания:13 ns
Категория продукта:моп-транзистор
Количество каналов:1 channel
Полярность транзистора:n-channel
Pd - рассеивание мощности:90 w
Id - непрерывный ток утечки:12 a
Коммерческое обозначение:superfet iii
Размер фабричной упаковки:3000
Vgs - напряжение затвор-исток:-30 v, +30 v
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:250 mohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:650 v
Минимальная рабочая температура:-55 c
Максимальная рабочая температура:+150 c
Типичное время задержки выключения:40 ns
Типичное время задержки при включении:15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2.5 v
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:7.4 s
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация