FCMT250N65S3, MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651454
- Артикул
- FCMT250N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 8mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.16
- Серия:
- superfet3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III МОП-транзисторы onsemi SuperFET ® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| Width | 8mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.16 |
| Серия: | superfet3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Power88 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Время спада: | 7.2 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | mosfet |
| Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Конфигурация: | single |
| Подкатегория: | mosfets |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | onsemi |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | power-88-4 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Канальный режим: | enhancement |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 24 nc |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Время нарастания: | 13 ns |
| Категория продукта: | моп-транзистор |
| Количество каналов: | 1 channel |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 90 w |
| Id - непрерывный ток утечки: | 12 a |
| Коммерческое обозначение: | superfet iii |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -30 v, +30 v |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 250 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 650 v |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Типичное время задержки выключения: | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 v |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 7.4 s |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250 мОм |