FCMT199N60, 600V 20.2A 208W 199mOhm@10V,10A N Channel Power-88 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025170609
- Артикул
- FCMT199N60
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 0.27
Цена по запросу
(от 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.27 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-88-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 208 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 199 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 199мОм |