FCMT180N65S3, MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369230
- Артикул
- FCMT180N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 8mm
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 635,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 8mm |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN EP |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 139(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 650(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Continuous Drain Current | 17(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
| Maximum Power Dissipation | 139 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.152Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Линейка Продукции | SUPERFET III |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.152Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180 мОм |