FCH47N60-F133,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8194070686
- Артикул
- FCH47N60-F133
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO247
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCH47N60
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 2 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCH47N60 |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SuperFET® |
| Вес, г | 23.59 |
| Gate charge | 0.27µC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 47A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FCH47N60_F133 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 417W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 270 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 417 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.058 Ом |