Моя заявка (0)

FCH190N65F-F155, MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155, MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833292
Артикул
FCH190N65F-F155
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
7
Длина
15.87 mm
Серия
FCH190N65F
Высота
20.82 mm
Цена по запросу
(от 838 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead

Технические параметры

Вес, г7
Длина15.87 mm
СерияFCH190N65F
Высота20.82 mm
Корпусto247
Ширина4.82 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада4.2 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора60 nC
Время нарастания11 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности208 W
Другие названия товара №FCH190N65F_F155
Id - непрерывный ток утечки20.6 A
Коммерческое обозначениеSuperFET II
Размер фабричной упаковки450
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения62 ns
Типичное время задержки при включении25 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.18 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)190мОм

Техническая документация