FCH165N60E, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 69А, 227Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523210
- Артикул
- FCH165N60E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 3
- Длина
- 15.87 mm
- Серия
- FCH165N60E
- Высота
- 20.82 mm
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 69А, 227Вт, TO247-3
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | FCH165N60E |
| Высота | 20.82 mm |
| Корпус | to247 |
| Ширина | 4.82 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 227 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |