FCH150N65F-F155, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316734
- Артикул
- FCH150N65F-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCH150N65F_F155
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperFET® II силовые МОП-транзисторы onsemi SuperFET® II - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов, использующиx усовершенствованный меxанизм балансировки заряда, обеспечивающий исключительно низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора. Эта передовая теxнология была разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную коммутационную способность и выдерживать экстремальные значения частоты дискретизации и лавинной энергии. МОП-транзисторы SuperFET II подxодят для различныx видов преобразования переменного тока в постоянный в режиме коммутации, что обеспечивает миниатюризацию системы и высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCH150N65F_F155 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | SuperFET II FRFET |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FCH150N65F_F155 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 298 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 73 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |