FCH110N65F-F155, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316610
- Артикул
- FCH110N65F-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 872,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 35А (Tc) 357 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247-3
Технические параметры
| Type | N Channel |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 357W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 357W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 145nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.895nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4895 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A(Tc) |