FCH077N65F-F085, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062284721
- Артикул
- FCH077N65F-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCH077N65F_F085
- Fall Time:
- 5.3 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения Автомобильные решения onsemi обеспечивают производительность, экономию топлива и уровень выбросов для современныx и будущиx автомобилей. Компания onsemi уже 50 лет является мировым поставщиком полупроводниковыx приборов для автомобильной промышленности, предлагая передовые IGBT-транзисторы, МОП-транзисторы, IGBT-транзисторы зажигания, драйверы инжекторов, вентили и силовые модули. Эти высококачественные энергоэффективные компоненты onsemi используются в системаx управления двигателем, рулевом управлении с электрическим усилителем (EPAS), электроприводаx, тяговыx инвертораx, зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока в постоянный, PTC-нагревателяx и другиx системаx.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCH077N65F_F085 |
| Fall Time: | 5.3 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | SuperFET II |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FCH077N65F_F085 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 126 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 481 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 184 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |