FCH067N65S3 N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 3-Pin TO-247 FCH067N65S3-F155
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034098488
- Артикул
- FCH067N65S3-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- SuperFETВ® III
- Series:
- FCH067N65S3
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III МОП-транзисторы onsemi SuperFET® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами onsemi SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | SuperFETВ® III |
| Series: | FCH067N65S3 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | SuperFET III |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Super Junction |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FCH067N65S3_F155 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 78 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4.4mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 22A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 312 W |
| Power Dissipation (Max) | 312W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 67 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3090pF @ 400V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 44A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |