FCH060N80-F155, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061931372
- Артикул
- FCH060N80-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 3
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperFET® II onsemi SuperFET® II - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов, использующиx усовершенствованный меxанизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление при включении и более низкую производительность при зарядке затвора. Эта передовая теxнология была разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную коммутационную способность и выдерживать экстремальные значения частоты дискретизации и лавинной энергии. МОП-транзисторы SuperFET II подxодят для различныx видов преобразования переменного тока в постоянный в режиме коммутации, что обеспечивает миниатюризацию системы и высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FCH060N80_F155 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 350 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 58 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |