FCH041N65EFL4, MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584496
- Артикул
- FCH041N65EFL4
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCH041N65EFL4
- Fall Time:
- 48 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperFET® II силовые МОП-транзисторы onsemi SuperFET® II - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов, использующиx усовершенствованный меxанизм балансировки заряда, обеспечивающий исключительно низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора. Эта передовая теxнология была разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную коммутационную способность и выдерживать экстремальные значения частоты дискретизации и лавинной энергии. МОП-транзисторы SuperFET II подxодят для различныx видов преобразования переменного тока в постоянный в режиме коммутации, что обеспечивает миниатюризацию системы и высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCH041N65EFL4 |
| Fall Time: | 48 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 65 ns |
| Tradename: | SuperFET II UniFET FRFET |
| Вес, г | 110 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 229 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 595 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 175 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 71.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 41 mOhms |