Моя заявка (0)
FCH041N60E, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062410946
Артикул
FCH041N60E
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.82mm
Series
SuperFET II
Pin Count
3
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 1 364,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SF2 600V 41MOHM E TO247

Технические параметры

Width4.82mm
SeriesSuperFET II
Pin Count3
Вес, г3
Длина15.87 mm
СерияFCH041N60E
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Высота20.82 mm
Ширина4.82 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада85 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation592 W
Typical Gate Charge @ Vgs285 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Qg - заряд затвора285 nC
Maximum Drain Source Resistance41 mΩ
Время нарастания50 ns
Maximum Continuous Drain Current77 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности592 W
Id - непрерывный ток утечки77 A
Коммерческое обозначениеSuperFET II
Размер фабричной упаковки450
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток41 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура50 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения320 ns
Типичное время задержки при включении50 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.71 S

Техническая документация