FCH040N65S3 Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH040N65S3-F155
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009717356
- Артикул
- FCH040N65S3-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.82mm
- Series
- FCH040N65S3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 2 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SuperFET® III - это совершенно новое семейство МОП-транзисторов ON Semiconductor с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Series | FCH040N65S3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 417 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 136 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 417 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |