Моя заявка (0)
FCD900N60Z, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046507610
Артикул
FCD900N60Z
Бренд
ON Semiconductor***
Type
N Channel
Brand:
onsemi/Fairchild
Product:
MOSFETs
Fall Time:
11.9 ns
Цена по запросу
(от 242,46 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:onsemi/Fairchild
Product:MOSFETs
Fall Time:11.9 ns
Rise Time:5.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:2500
Power Dissipation (Pd)52W
Pd - Power Dissipation:2 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10.9 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)720pF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:33.6 ns
Continuous Drain Current (Id)4.5A
Id - Continuous Drain Current:4.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:900 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация