FCD850N80Z, MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833265
- Артикул
- FCD850N80Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 288,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | FCD850N80Z |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | SuperFET II |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | NRND |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Process Technology | SuperFET II |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 4.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 75000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 990@100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |