FCD7N60TM-WS, FCD7N60TM_WS, Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074779168
- Артикул
- FCD7N60TM-WS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- SuperFET
- Вес, г
- 0.33
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- FCD7N60
Цена по запросу
(от 647 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
Технические параметры
| Тип | SuperFET |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FCD7N60 |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 32 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Время нарастания | 55 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Другие названия товара № | FCD7N60TM_WS |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 530 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |