Моя заявка (0)

FCD7N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 83Вт; DPAK

FCD7N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 83Вт; DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062429629
Артикул
FCD7N60TM
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6.22mm
Series
SuperFET
Pin Count
3
Вес, г
0.09
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CH/600V/7A SuperFET

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesSuperFET
Pin Count3
Вес, г0.09
Длина6.73 mm
СерияFCD7N60
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.4V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада32 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation83 W
Typical Gate Charge @ Vgs23 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора30 nC
Maximum Drain Source Resistance600 mΩ
Время нарастания55 ns
Maximum Continuous Drain Current7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки7 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток530 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении35 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6 S

Техническая документация