FCD620N60ZF, Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002307688
- Артикул
- FCD620N60ZF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 360 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 |
| Package Height | 2.29 |
| Package Length | 6.54 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 5 |
| Process Technology | SuperFET II |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 89000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 855@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 620@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |