FCD600N60Z, MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584494
- Артикул
- FCD600N60Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 6.22 mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 6.22 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | FCD600N60Z |
| Product | MOSFET |
| Series: | FCD600N60Z |
| Product: | MOSFET |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 7 ns |
| Tradename | SuperFET II |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | SuperFET II |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 89 W |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 7.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 6.7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |