FCD5N60TM-WS, MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833263
- Артикул
- FCD5N60TM-WS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.26
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- FCD5N60
- Высота
- 2.39 mm
Цена по запросу
(от 224,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V 4.6A N-Channel
Технические параметры
| Вес, г | 0.26 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FCD5N60 |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Время нарастания | 40 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Другие названия товара № | FCD5N60TM_WS |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.6 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 950 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@1mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 173mΩ@10V, 5A |