FCD5N60TM, MOSFETs 650V SUPERFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833262
- Артикул
- FCD5N60TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCD5N60
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 216,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,9А, 54Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCD5N60 |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Tradename: | SuperFET |
| Вес, г | 15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 54(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 54 W |
| Continuous Drain Current | 4.6(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 810 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 810 mOhms |