Моя заявка (0)

FCD5N60-F085, Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

FCD5N60-F085, Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309630
Артикул
FCD5N60-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 222 ₽)
Минимальный заказ: 342 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.1 mm
Package Length6.54 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuperFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)19
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)54000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)16
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)16@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)18
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)48
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)570@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)1100@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация