FCD4N60TM, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8389601751
- Артикул
- FCD4N60TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.81
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- FCD4N60
- Высота
- 2.39 mm
Цена по запросу
(от 292 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH/600V/7A/ SuperFET
Технические параметры
| Вес, г | 1.81 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FCD4N60 |
| Высота | 2.39 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 30 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 45 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.2 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |