FCD380N60E, 600V 10.2A 380mOhm@10V,5A 106W 3.5V@250uA 1 N-Channel TO-252AA MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373262
- Артикул
- FCD380N60E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- SuperFETВ® II
- Series:
- FCD380N60E
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 153,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | SuperFETВ® II |
| Series: | FCD380N60E |
| FET Type | N-Channel |
| Product: | MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | SuperFET II |
| Вес, г | 0.47 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Base Part Number | FCD380N60 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 106 W |
| Power Dissipation (Max) | 106W(Tc) |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10.2A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |