Моя заявка (0)
FCD360N65S3R0, MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369223
Артикул
FCD360N65S3R0
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
83Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 282,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation83Вт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора18 nC
Время нарастания11 ns
Drain Source On State Resistance0.31Ом
Линейка ПродукцииSUPERFET III
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность83Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки10 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения34 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.31Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)360 мОм

Техническая документация