FCB260N65S3, 650V 12A 260mOhm@6A,10V 90W 4.5V@1.2mA 1PCSNChannel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037597935
- Артикул
- FCB260N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.04
- Серия
- SuperFET3
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Технические параметры
| Вес, г | 2.04 |
| Серия | SuperFET3 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel SuperFET III MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 49 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 260мОм |