FCB20N60, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8488595877
- Артикул
- FCB20N60
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.46
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 208Вт
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, D2-PAK; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 20 А; Напряжение источника стока Vds: 600 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,15 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность P
Технические параметры
| Вес, г | 1.46 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.15Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.67 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 Ом |