FCB199N65S3, MOSFETs SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833253
- Артикул
- FCB199N65S3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FCB199N65S3
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 23 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III МОП-транзисторы onsemi SuperFET® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами onsemi SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FCB199N65S3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 1.49 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 98Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 98 W |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.17Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Линейка Продукции | SuperFET III |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 14А |
| Рассеиваемая Мощность | 98Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.17Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 199мОм |