Моя заявка (0)

SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB125N65S3

SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB125N65S3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014537368
Артикул
FCB125N65S3
Бренд
ON Semiconductor***
Series
SUPERFET III
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 945 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы ON Semiconductor SUPERFET III серии - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов с суперпереxодом (SJ), в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.

Технические параметры

SeriesSUPERFET III
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокD2PAK-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance125 mΩ
Maximum Continuous Drain Current24 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Размер фабричной упаковки800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация