FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049489231
- Артикул
- FCB11N60TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- Series
- SuperFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 207,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Fairchild пополнила семейство высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов SuperFET® II теxнологией Super Junction.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | SuperFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |