Моя заявка (0)
FCA76N60N, Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309424
Артикул
FCA76N60N
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 4 250 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 76A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для подключения к 3P-трубке

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width5(Max)
Package Length16.2(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-3P
Maximum IDSS (uA)10
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)32
Typical Rise Time (ns)24
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)543000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)218
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)218@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)34
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)235
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)76
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)9310@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)36@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А76
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация