FCA47N60-F109, MOSFETs 650V SUPER FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584493
- Артикул
- FCA47N60-F109
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- Power MOSFET
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 1 790 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 650V SUPER FET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | Power MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 8 |
| Длина | 16.2 mm |
| Серия | FCA47N60_F109 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3P |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 20.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-3P |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 417Вт |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-3P |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 75 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 75 |
| Typical Rise Time (ns) | 210 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 47(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 417000 |
| Qg - заряд затвора | 270 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 210 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 210 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 185 |
| Время нарастания | 210 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.058Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 520 |
| Линейка Продукции | SuperFET |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 47 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5900 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 70 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 47А |
| Рассеиваемая Мощность | 417Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 417 W |
| Другие названия товара № | FCA47N60_F109 |
| Id - непрерывный ток утечки | 47 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PN |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +22 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 520 ns |
| Типичное время задержки при включении | 185 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.058Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |