F48MR12W2M1HPB76BPSA1, Infineon N-Kanal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063928186
- Артикул
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolSiC Trench MOSFET
- Mount Type
- Screw
Цена по запросу
(от 32 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET разработан для высокопроизводительныx систем электропитания и оснащен лучшей в своем классе компактной упаковкой высотой 12 мм для эффективного использования пространства. Он изготовлен из высококачественного материала с широкой полосой пропускания (WBG), который повышает энергоэффективность и тепловые xарактеристики. Благодаря очень низкой паразитной индуктивности модуля, этот модуль минимизирует потери мощности и повышает скорость переключения для более эффективной работы.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolSiC Trench MOSFET |
| Mount Type | Screw |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | EasyPACK |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | F4-8MR12W2M1HP_B76 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Forward Voltage Vf | 5.35V |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 |
| Factory Pack Quantity: | 18 |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.4mΩ |