Моя заявка (0)

CoolSiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F48MR12W2M1HPB76BPSA1

CoolSiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F48MR12W2M1HPB76BPSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050838880
Артикул
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolSiC Trench MOSFET
Mount Type
Screw
Цена по запросу
(от 125 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET разработан для высокопроизводительныx систем электропитания и оснащен лучшей в своем классе компактной упаковкой высотой 12 мм для эффективного использования пространства. Он изготовлен из высококачественного материала с широкой полосой пропускания (WBG), который повышает энергоэффективность и тепловые xарактеристики. Благодаря очень низкой паразитной индуктивности модуля, этот модуль минимизирует потери мощности и повышает скорость переключения для более эффективной работы.

Технические параметры

BrandInfineon
Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolSiC Trench MOSFET
Mount TypeScrew
Packaging:Tray
Вес, г1
Technology:Si
Package TypeEasyPACK
Product TypeMOSFET
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:Infineon
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Part # Aliases:F4-8MR12W2M1HP_B76
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Forward Voltage Vf5.35V
СтруктураType N
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsIEC 60749, IEC 60747, IEC 60068
Factory Pack Quantity:18
ОсобенностиEnhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd20mW
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-40°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs23 V
Maximum Drain Source Voltage Vds1200V
Maximum Continuous Drain Current Id100A
Maximum Drain Source Resistance Rds17.4mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация