F475R06W1E3BOMA1, IGBTs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037596290
- Артикул
- F475R06W1E3BOMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Screw
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 7 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 600V 100A 275000 МВт, 15-контактный лоток EASY1B-1
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Screw |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 15 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.31 |
| PCB changed | 15 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad |
| Supplier Package | EASY1B-1 |
| Number of Transistors | 4 |
| Maximum Power Dissipation | 275 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 275000 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.45 |