F4-17MR12W1M1H_B76 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F417MR12W1M1HB76BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801853
- Артикул
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- F4-17MR12W1M1H_B76
- Mount Type
- Screw
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 66 720 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET на 1200 В, 17 Мом G1 с контактной теxнологией NTC и PressFIT contact. Этот МОП-транзистор выполнен в лучшей в своем классе упаковке и имеет компактную высоту 12 мм для эффективного использования пространства. В нем используются передовые материалы с широкой полосой пропускания, что обеспечивает повышенную энергоэффективность и производительность. Благодаря очень низкой паразитной индуктивности модуля он сводит к минимуму потери мощности и улучшает динамику переключения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | F4-17MR12W1M1H_B76 |
| Mount Type | Screw |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | EasyPACK |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 5.35V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 34.7mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |