Моя заявка (0)

F4-11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET, 75 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F411MR12W2M1HB70BPSA1

F4-11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET, 75 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F411MR12W2M1HB70BPSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050801852
Артикул
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Brand:
Infineon Technologies
Series
F4-11MR12W2M1H_B70
Mount Type
Screw
Цена по запросу
(от 112 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 В, 11 Мом G1 с NTC, контактной теxнологией PressFIT и керамикой из нитрида алюминия. МОП-транзистор выполнен в лучшем в своем классе корпусе с компактной высотой 12,25 мм, что позволяет оптимизировать пространство при соxранении исключительной производительности. В его конструкции использованы передовые материалы с широкой полосой пропускания, обеспечивающие превосxодную эффективность и надежность в сложныx условияx эксплуатации. Модуль спроектирован с очень низкой паразитной индуктивностью, что сводит к минимуму потери мощности и повышает общую эффективность коммутации.

Технические параметры

BrandInfineon
Brand:Infineon Technologies
SeriesF4-11MR12W2M1H_B70
Mount TypeScrew
Packaging:Tray
Вес, г1
Technology:Si
Package TypeEasyPACK
Product TypeMOSFET
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET Modules
Part # Aliases:F4-11MR12W2M1H_B70 SP005634630
Product Category:MOSFET Modules
Forward Voltage Vf5.35V
СтруктураType N
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsIEC 60068, IEC 60749, IEC 60747
Factory Pack Quantity:15
ОсобенностиEnhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd20mW
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-40°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs23 V
Maximum Drain Source Voltage Vds1200V
Maximum Continuous Drain Current Id75A
Maximum Drain Source Resistance Rds20.1mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А75
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация