F410MR20W3M1HB11BPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048170708
- Артикул
- F410MR20W3M1HB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- SVHC
- Yes
- Material
- SiC
- Packaging
- Tray
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 75 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Лоток для транзисторов MOSFET N-CH SiC 2 кВ 95А
Технические параметры
| SVHC | Yes |
| Material | SiC |
| Packaging | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad |
| Product Category | Power MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 33 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 470@3V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 57 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 2000 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 97 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 95 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 14500@1200V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 13.3@18V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |