F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Dual N Channel, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012546213
- Артикул
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 10
- Channel Type
- N
- Package Type
- AG-EASY2B
- Mounting Type
- Screw Mount
Цена по запросу
(от 28 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
3-уровневый модуль Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B 1200 В / 8 Мом с МОП-транзистором CoolSiC™ улучшенного поколения 1, встроенным датчиком температуры NTC, предварительно нанесенным материалом для термоинтерфейса и контактной теxнологией PressFIT.
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-EASY2B |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.1 мОм |