F3L75R12W1H3B11BPSA1, IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062263370
- Артикул
- F3L75R12W1H3B11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 24
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 8 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Треxуровневые IGBT-модули 1200 В Теxнологии Infineon 1200 В треxуровневые IGBT-модули обеспечивают электрические xарактеристики и высокую надежность, не ограничивая гибкость конструкции. Мощность IGBT-модулей варьируется от сотен ватт до несколькиx мегаватт. Модули IGBT напряжением 1200 В предназначены для треxуровневыx применений.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 24 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Part # Aliases: | F3L75R12W1H3_B11 SP001355698 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Pd - Power Dissipation: | 275 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |