F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050802009
- Артикул
- F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- F3L6MR
- Mount Type
- Through Hole
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 225 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
3-уровневый модуль Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 2000 В, 6 Мом с датчиком температуры NTC, контактной теxнологией Press FIT и керамикой из нитрида алюминия.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | F3L6MR |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | AG-EASY2B |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 6.15V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2000V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 375A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 375 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |