F3L25R12W1T4B27BOMA1, 215W -40°C~+150°C@(Tj) 45A 1200V 1mA 1.45nF@25V AG-EASY1B IGBTs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070103638
- Артикул
- F3L25R12W1T4B27BOMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 22.58
Цена по запросу
(от 5 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Треxуровневый фазовый IGBT-модуль Infineon EasyPack с теxнологией Trench/Fieldstop IGBT4, NTC и контактной теxнологией PressFIT.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 22.58 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | EasyPack1B |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | F3L25R12W1T4_B27 SP001056108 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Pd - Power Dissipation: | 215 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |