F3L225R12W3H3B11BPSA1, Infineon IGBT / 225 A ±20V max. Quad, 1200 V 20 mW AG-62MMHB N-Kanal
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063928317
- Артикул
- F3L225R12W3H3B11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 7
Цена по запросу
(от 22 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Half Bridge |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | EasyPACK |
| Part # Aliases: | F3L225R12W3H3_B11 SP005675779 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Pd - Power Dissipation: | 20 mW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 175 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8 |